碳化硅mosfet也稱SiC MOSFET，英文全稱silicon carbide，；

在開(kāi)發(fā)與應(yīng)用中，相同功率等級(jí)的Si mosfet與SiC MOSFET相比，SiC mosfet導(dǎo)通電阻，開(kāi)關(guān)損耗低，工作頻率更高，更適用高溫工作，高溫穩(wěn)定性好。

 

 

SiC與Si在功率等級(jí)相同相比較

碳化硅mosfet優(yōu)勢(shì)

1.低損耗
半導(dǎo)體元器件導(dǎo)通損耗與它的擊穿場(chǎng)強(qiáng)是反比，導(dǎo)通損耗小，并不會(huì)因溫度變化而變化。
 

2.開(kāi)關(guān)速度更快
SiC熱導(dǎo)系數(shù)=2.5*Si   SiC飽和電子漂移率= 2*Si    SiC工作頻率高
 

3.高阻斷電壓
SiC擊穿場(chǎng)強(qiáng)=10*Si (或是更多)  SiC阻斷電壓 > Si阻斷電壓
 

4.在高溫下可工作
SiC有著高度穩(wěn)定晶體結(jié)構(gòu)，寬度2.2eV—3.3eV （等于2*Si 或更多）
SiC最大高溫度600 ºC

 

碳化硅mosfet驅(qū)動(dòng)電路

SiC MOSFET 與Si MOSFET比較

1.SiC MOSFET寄生電容更小，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路寄生參數(shù)更敏感。

2.SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓-5V~ +25V（建議電壓-2V/+20V），Si MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓-30V~+30V（建議電壓0/+15V）

3.SiC MOSFET安全閾值小；

4.SiC MOSFET有專用驅(qū)動(dòng)芯片

 

碳化硅mosfet驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要求

1.峰值電流Imax要更大，米勒平臺(tái)持續(xù)時(shí)間要減小，提高速開(kāi)關(guān)；

2.驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)能力要強(qiáng)；

3.用負(fù)壓關(guān)斷，因噪聲干擾會(huì)導(dǎo)致誤開(kāi)通；

4.驅(qū)動(dòng)電路寄生電感盡可能的減小影響；

5.增加吸收電容：在布局PCB時(shí)加入適量吸收電容；

6.驅(qū)動(dòng)電壓要足夠大，減小導(dǎo)通損耗；

7.驅(qū)動(dòng)電流要足夠大；

8.驅(qū)動(dòng)回路阻抗要小，開(kāi)通時(shí)快速對(duì)柵極電容充電，關(guān)斷時(shí)柵極電容能夠快速放電；

9.觸發(fā)脈沖有比較快的上升速度和下降速度，脈沖前沿和后沿要陡；