PN結(jié)隔離(JI)柵極驅(qū)動(dòng)器

用于igbt和mosfet的ji級(jí)移相高壓門極驅(qū)動(dòng)集成電路

p-n結(jié)隔離（ji）技術(shù)是一種成熟、成熟的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)mos/cmos制造技術(shù)。我們專有的高壓集成電路（HVIC）和鎖存免疫CMOS技術(shù)使堅(jiān)固的單片結(jié)構(gòu)成為可能。先進(jìn)的工藝允許單片高壓和低壓電路結(jié)構(gòu)，為特定的電機(jī)控制和開關(guān)電源應(yīng)用提供最佳的性價(jià)比。

 

JI電平移位高壓門驅(qū)動(dòng)器ICs系列具有過電流保護(hù)、關(guān)機(jī)、故障報(bào)告、使能、OPAMP、DESAT、可編程死區(qū)時(shí)間、穿透保護(hù)、獨(dú)立的接收器和源輸出、低UVLO（5v）、自振蕩等高級(jí)功能。

 

我們提供工業(yè)和汽車用合格的連接隔離（JI）門驅(qū)動(dòng)器集成電路。

 

高壓集成電路（HVIC）技術(shù)自1989年由國(guó)際整流器（IR）率先推出，引進(jìn)了第一種單片產(chǎn)品，采用了專利和專有的單片結(jié)構(gòu)，集成了雙極性、CMOS和橫向DMOS器件，擊穿電壓分別在700 V和1400 V以上，工作偏置電壓為600V和1200 V。

 

利用這種混合信號(hào)hvic技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)高壓電平變換電路和低壓模擬和數(shù)字電路。通過將高壓電路（在由多晶硅環(huán)形成的‘阱’中）放置在600個(gè)V或1200 V上，在同一個(gè)硅上遠(yuǎn)離低壓電路的其余部分，高邊功率MOSFET或IGBT存在于許多常見的離線電路拓?fù)渲?，例如降壓、同步升壓、半橋，全橋三相?/span>

 

這些帶有浮動(dòng)開關(guān)的hvic門驅(qū)動(dòng)器非常適合需要高邊、半橋和三相配置的拓?fù)洹?/span>

 

優(yōu)點(diǎn)/特點(diǎn)：

 

大電流能力

 

•精確模擬電路（緊定時(shí)/傳播延遲）

 

•具有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)門驅(qū)動(dòng)器IC的最全面的產(chǎn)品組合

 

•電壓等級(jí)：1200 V、600 V、500 V、200 V和100 V

 

•配置：三相、半橋、單通道等

 

•針對(duì)最佳性價(jià)比定制的門驅(qū)動(dòng)器IC

 

•標(biāo)準(zhǔn)插針和包裝

 

 

吉門驅(qū)動(dòng)芯片俯視圖

 

高壓集成電路的器件截面

 

 

應(yīng)用

•主要家用電器

 

•小家電

 

•感應(yīng)加熱

 

•電機(jī)控制

 

•工業(yè)驅(qū)動(dòng)

 

•電池供電工具

 

•電動(dòng)園林工具

 

•微型變頻器驅(qū)動(dòng)器

 

•伺服電機(jī)

 

•步進(jìn)電機(jī)

 

•輕型電動(dòng)車（LEV）-電動(dòng)自行車、電動(dòng)滑板車、電動(dòng)玩具

 

•無人機(jī)、機(jī)器人吸塵器、個(gè)人機(jī)器人

 

•無線充電