VMOS英文全稱：V-groove metal-oxide semiconductor

另一種叫法：V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管

 

VMOS管場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)圖如下：

VMOS特點(diǎn)

1.V型槽結(jié)構(gòu)金屬柵極

2.垂直導(dǎo)電性：漏極從芯片背面引出，ID不沿芯片水平流動(dòng)，自重?fù)诫sN+ 區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，最終垂直向下到達(dá)漏極D

 

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管優(yōu)勢(shì)

1.輸入阻抗可達(dá)108W甚至更高

2.驅(qū)動(dòng)電流小0.1μA

3.耐壓高最高1200V

4.工作電流范圍大1.5A～100A

5.輸出功率范圍高1～250W

6.跨導(dǎo)的線性好

7.開關(guān)速度快

 

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用

1.電壓放大器

2.功率放大器

3.開關(guān)電源

4.逆變器