什么是電壓型靜電擊穿（穿通擊穿）

MOS管場效應管柵極薄氧化層發(fā)生擊穿有針孔后，導致柵極—柵極之間形成短路，柵極—漏極之間形成短路。

穿通擊穿：

穿通擊穿受多晶柵長度影響

 

1.破壞性擊穿并不會出現(xiàn)，

原因：場強沒有達到雪崩擊穿場強，并不會產(chǎn)生大量電子空穴對；

 

2.在溝道中間發(fā)生；

原因：穿通不容易發(fā)生在溝道表面，溝道注入使表面濃度大形成，NMOS管場效應管有防穿通注入；

 

3.發(fā)生在溝道中間：鳥嘴邊緣濃度 > 溝道中間濃度

 

4.軟擊穿：擊穿過程中，電流漸漸變大；

原因：耗盡層擴展較寬，同時發(fā)生DIBL效應，源襯底結正偏出現(xiàn)電流漸漸變大；

 

5.軟擊穿點：在源漏的耗盡層相接時，源端載流子注入耗盡層中，被電場加速達到漏端，電流變大，與雪崩擊穿電流不同，與源襯底PN結正向?qū)〞r電流相同。