MOS管設計開關電源或是馬達驅動電路，我們經(jīng)?？紤]的是MOS管（場效應管）的導通電阻，最大電壓及電流因素，但是這并不是完美的設計，甚至在正式設計中是不被接受的。

MOS管（場效應管）種類和結構

MOS管（場效應管）= FET + JFET，可設計成 增強型 + 耗盡型 + P溝道 + N溝道

最常用到的是：增強型的N溝道（NMOS） + 增強型的P溝道（PMOS）
增強型的N溝道（NMOS）優(yōu)勢是：通電阻小 + 容易設計，因此在開關電源，馬達驅動 最常用；

MOS管（場效應管）有三個管腳，分別是G、S、D,三個管腳之間存在寄生電容,因制造工藝限制，寄生電容會讓設計及選擇驅動電路時會復雜一些；
MOS管（場效應管）的漏極和源極之間有一個寄生二極管，我們把它叫作體二極管，在驅動感性負載（如馬達）中此二極管非常重要的，但此二極管在集成電路芯片內部是沒有的。

 

MOS管（場效應管）的導通特性
導通（作為開關）指的是開關閉合；
NMOS管：Vgs > 一定的值，即可導通，用于：源極接地（低端驅動），柵極電壓：4V、10V；

PMOS管：Vgs < 一定的值,  即可導通，用于：源極接VCC（高端驅動）;

劣勢：導通電阻大，替換種類少，價格貴，即很少應用于高端驅動，一般都選擇NMOS管；
 

開關MOS管（場效應管）損失

MOS管（場效應管）導通后有導通電阻，因此電流會消耗能量，即稱之導通損耗，所以設計的時候會選擇MOS管（場效應管）導通電阻小的，來減少這種導通損耗；

MOS管（場效應管）開關損失是：MOS管（場效應管）兩端電壓下降有一個過程，電流上升有一個過程，這個時間段內損失的電壓和電流的乘積，即：損失電壓X 損失電流= 開關損失（開關損失 >導通損失,開關頻率越快，損失也越大）；

降低開關損失方法：縮短開關時間（減小導通時損失），縮短開關時間（減小單位時間內開關次數(shù)）

 

MOS管（場效應管）驅動

MOS管（場效應管）驅動：對GS與GD間寄生電容充放電；

而充電時需電流，對電容充電瞬間可看作短路，此瞬間電流很大，因此選用或設計此驅動注意事項如下：
1.提供瞬間短路電流大小；

2.NMOS用于高端驅動時，導通需柵極電壓 > 源極電壓,高端驅動MOS管導通時源極電壓 = 漏極電壓（VCC）,此時柵極電壓 > VCC  4V或10V，如果馬達驅動器集成電荷泵，應選合適外接電容，有足夠短路電流去驅動MOS管（場效應管）；

4V和10V是MOS管常用導通電壓，設計時應有一定余量，電壓越高，導通速度越快，導通電阻越小，現(xiàn)已經(jīng)有更小導通電壓MOS管（場效應管）在使用，如：12V汽車電子系統(tǒng)，使用4V導通；

MOS管（場效應管）應用電路

優(yōu)勢：開關特性好

應用領域：開關電源，馬達驅動，照明調光等