MOSFET管是FET的一種，另一種是JFET;

它分為增強(qiáng)型，耗盡型，P溝道，N溝道共4種類型；

雖然分有4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有NMOS和PMOS，即增強(qiáng)型的N溝道和P溝道MOS管。

在NMOS和PMOS中，因?yàn)?/span>NMOS管導(dǎo)通電阻小，且容易，所以最常應(yīng)用于開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)中的是NMOS管。

 

MOS管的構(gòu)造：

在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的 N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作為漏極D和源極S。

在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極，作為柵極G。

這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道（NPN 型）增強(qiáng)型MOS管。

它的柵極和其它電極間是絕緣的。

 

同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的P+區(qū)，及上述相同的柵極制作過程，就制成為一個(gè)P溝道（PNP型）增強(qiáng)型MOS管，a 和b分別是P溝道MOS管道結(jié)構(gòu)圖和代表符號(hào)。

 

 

MOS管的特性：

 

MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于SiO2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導(dǎo)致源極-漏極電流的產(chǎn)生。此時(shí)的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小，控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。即可得出：

1.MOS管是一個(gè)由改變電壓來控制電流的器件，所以是電壓器件。

2.MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。

3.MOS管的電壓極性和符號(hào)規(guī)則：

 

N溝道MOS管的符號(hào)：D是漏極，S是源極，G是柵極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管，箭頭向外表示是 P溝道的MOS管。

P溝道MOS管的符號(hào)：MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同，N溝道的類似NPN晶體三極管，漏極D接正極，源極S接負(fù)極，柵極G正電壓時(shí)導(dǎo)電溝道建立，N溝道MOS管開始工作；