場效應管是場效應晶體管的簡稱，英文名是Field Effect Transistor縮寫FET。

場效應管分兩種類型，一種是juncTIon FET—JFET和metal-oxide semiconductor FET（簡稱MOS-FET）。

場效應管被稱為單極型晶體管，是因為它由多數(shù)載流子參與導電，屬于電壓控制型半導體器件。

場效應管優(yōu)點

具有輸入電阻高（107～1015Ω），噪聲小，功耗低，動態(tài)范圍大，易于集成，沒有二次擊穿現(xiàn)象，安全工作區(qū)域寬。

 

場效應管原理

按照結構和原理可以分為：接合型場效應管和MOS型場效應管兩種

 

接合型場效應管原理

N通道接合型場效應管如下圖所示，

以P型半導體的柵極從兩側夾住N型半導體的結構。將PN接合面上外加反向電壓時所產(chǎn)生的空乏區(qū)域用于電流控制。

N型結晶區(qū)域的兩端加上直流電壓時，電子從源極流向漏極。電子所通過的通道寬度由從兩側面擴散的P型區(qū)域以及加在該區(qū)域上的負電壓所決定。

加強負的柵極電壓時，PN接合部分的空乏區(qū)域擴展到通道中，而縮小通道寬度。因此，以柵極電極的電壓可以控制源極-漏極之間的電流。

 

接合型場效應管用途

即使柵極電壓為零，也有電流流通，因此用于恒定電流源或因低噪音而用于音頻放大器等。

 

 

 

MOS型場效應管原理

 

即使是夾住氧化膜（O）的金屬（M）與半導體（S）的結構（MOS結構），如果在（M）與半導體（S）之間外加電壓的話，也可以產(chǎn)生空乏層。再加上較高的電壓時，氧華膜下能積蓄電子或空穴，形成反轉層。將其作為開關利用的即為MOSFET。

在動作原理圖上，如果柵極電壓為零，則PN接合面將斷開電流，使得電流在源極、漏極之間不流通。如果在柵極舊外加正電壓的話，則P型半導體的空穴將從柵極下的氧化膜-P型半導體的表面被驅逐，而形成空乏層。而且，如果再提高柵極電壓的話，電子將被吸引表表面，而形成較薄的N型反轉層，由此源杖（N型）和漏極（N型）之間連接，使得電流流通。

 

MOS型場效應管用途

因其結構簡單、速度快，且柵極驅動簡單、具有耐破壞力強等特征，而且使用微細加工技術的話，即可直接提高性能，因此被廣泛使用于由LSI的基礎器件等高頻器件到功率器件（電力控制器件）等的領域中。