国产中文欧美日韩在线_一级毛片生活片免费看_国产欧美日韩亚洲18禁在线_精品无码中字国产制服_色就是se94se人妻无码_我被同桌扒开双腿摸出了水_亚洲欧美日韩国产综合不卡_一级毛片在线播放全部_人妻系列影片无码专区久久_国产.免费观看网站

因Coss，開關(guān)過程中實際電壓及電流波形與理想波形有差異； 理想狀態(tài) 工程簡化式，VDS在t7內(nèi)線性地最小值上升至輸入電壓，t8內(nèi)電流線性地最大值降到0； 實際狀態(tài) Coss影響，小部份電流流過Coss，大部分流過MOS場效應(yīng)管，Coss充電速度慢，VDS電流上升速率慢； 有Coss，關(guān)斷時，因電容電壓不能變，VDS電壓維持低電壓，即ZVS，0電壓關(guān)斷，功率損耗??； 開通中，因Coss，電容電壓不能變，VDS維持高電壓，功率損耗大； 理想狀態(tài) 工程簡化式，關(guān)斷與開通損耗相同， 實際狀態(tài) 關(guān)斷損耗 <開通損耗 Coss把大部分關(guān)斷損耗轉(zhuǎn)移到開通損耗，總開關(guān)功率損耗相同；

集成肖特基二極管N溝道MOS場效應(yīng)管30 V 安森美ON 集成肖特基二極管30 V? 型號：NTMFS4897NF+NTMFS4898NF+NTMFS4899NF 10 V時：最大導(dǎo)通阻抗值2MΩ+3 MΩ+5MΩ 封裝：低熱阻抗緊湊型5 mm x 6 mm SO-8FL 應(yīng)用于降壓轉(zhuǎn)換器，可達(dá)高電源能效 Vgs=4.5 V，典型門電荷39.6(nC)+25.6 nC+12.2 nC，超低開關(guān)損耗； Vgs=門極-源極電壓 應(yīng)用 電信網(wǎng)絡(luò)設(shè)施+個人計算機PC+筆記本電腦及游戲機的直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換+負(fù)載點(POL)轉(zhuǎn)換+低端開關(guān)操作+服務(wù)器+電信網(wǎng)絡(luò)設(shè)施；

變流器中的MOS場效應(yīng)管 MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通電阻因柵電壓變化而變化，隨柵電壓上升其下降，柵電壓=一定值，導(dǎo)通電阻值不變，即充分導(dǎo)通； MOS場效應(yīng)管不同耐壓充分導(dǎo)通柵電壓不同，耐壓越高充分導(dǎo)通柵電壓越低； 如：MOS場效應(yīng)管 耐壓=200V?充分導(dǎo)通，柵電壓>16V； 耐壓=500V?充分導(dǎo)通，柵電壓>12V； 耐壓=1000V充分導(dǎo)通，柵電壓>8V； 因耐壓<200V，柵驅(qū)動電壓＝17~18V 耐壓=500V?柵驅(qū)動電壓＝15V 耐壓=1000V??柵驅(qū)動電壓＝12V；

20V?P溝道功率MOS場效應(yīng)管即SiA433EDJ 封裝：2mm×2mm熱增強PowerPAKSC-70 它的導(dǎo)通電阻是傳統(tǒng)的一半； 如：4.5V導(dǎo)通電阻18mΩ?2.5V導(dǎo)通電阻26mΩ??1.8V?導(dǎo)通電阻65mΩ 技術(shù)：自矯正，每平方英寸硅片裝1億晶體管+精細(xì)+亞微米間距工藝； 此MOS場效應(yīng)管有12V柵源電壓+1.8V額定電壓導(dǎo)通20V電子元器件； 應(yīng)用于：尖峰+噪聲+浪涌+過壓致高柵極驅(qū)動電壓波動； 因減少ESD故障，內(nèi)置齊納二極管，ESD保護提高到1800V；

最小體積保護式低壓側(cè)MOS場效應(yīng)管，ZXMS6004FF； 它用封裝：2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F，與封裝SOT223比，可節(jié)省空間85%； SOT23F扁平封裝體積小，但它的性能一定也不受影響，甚至散熱性能更好，可讓ZXMS6004FF封裝功率密度是同類大封裝電子元器的三倍； IntelliFET導(dǎo)通電阻=500m??功耗在絕對極小值； ZXMS6004FF是把過壓+過流+過溫保護+靜電放電等集成在高散熱效率封裝內(nèi)，它保護了元件和負(fù)載，并減少電子無器件數(shù)量，印刷電路板的尺寸+成本；

CoolMOS? ?CE適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用，作為現(xiàn)代超結(jié)，它提供低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，提高效率，并最終降低功耗。600V、650V和700V CoolMOS? CE結(jié)合了最佳的Rds（on）和適用于移動電話和平板電腦的低功耗充電器的封裝產(chǎn)品。 英飛凌mos場效應(yīng)管IPA65R1K0CE功能概述 1.典型值與最大值之間的窄間隙（開） 2.輸出電容（E oss）中存儲的能量減少 3.良好的體二極管耐用性和減少的反向恢復(fù)電荷（Q rr） 4.優(yōu)化的集成R g 優(yōu)勢 1.低傳導(dǎo)損耗 2.低開關(guān)損耗 3.適用于硬開關(guān)和軟開關(guān) 4.易于控制的切換行為 5.提高效率，從而降低功耗 6.減少設(shè)計工作量 7.易于使用 英飛凌mos場效應(yīng)管IPA65R1K0CE潛在應(yīng)用 1.筆記本電腦和筆記本適配器 2.低功率充電器 3.照明 3.LCD和LED電視

更換650V CoolMOS? CFD2為600V CoolMOS? CFD7型 650V CoolMOS公司? CFD2是英飛凌第二代市場領(lǐng)先的高壓CoolMOS? 集成快體二極管MOSFET。CFD2器件是600V CFD的后續(xù)產(chǎn)品，具有更高的能效。較軟的換向行為，因此更好的電磁干擾行為，使該產(chǎn)品明顯優(yōu)于競爭對手的部件。 英飛凌mos場效應(yīng)管IPA65R150CFD功能概述 1.650V技術(shù)，集成快速體二極管 2.硬換相期間的有限電壓過沖 3.與600V CFD技術(shù)相比，Qg顯著降低 4.更緊密的RDS（開）最大值到RDS（開）典型窗口 5.易于設(shè)計 6.與600V CFD技術(shù)相比價格更低 英飛凌mos場效應(yīng)管IPA65R150CFD優(yōu)勢 1.由于體二極管重復(fù)換向時的低Qrr，開關(guān)損耗低 2.自限di/dt和dv/dt 3.低質(zhì)量 4.減少開啟和開啟延遲時間 5.出色的CoolMOS? 質(zhì)量

CoolMOS??CE適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用，作為現(xiàn)代超結(jié)，它提供低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，提高效率，并最終降低功耗。600V、650V和700V CoolMOS? CE結(jié)合了最佳的Rds（on）和適用于移動電話和平板電腦的低功耗充電器的封裝產(chǎn)品。 英飛凌MOS場效應(yīng)管IPA60R800CE功能概述 1.典型值與最大值之間的窄間隙（開） 2.輸出電容（E oss）中存儲的能量減少 3.良好的體二極管耐用性和減少的反向恢復(fù)電荷（Q rr） 4.優(yōu)化的集成R g 英飛凌MOS場效應(yīng)管IPA60R800CE優(yōu)勢 1.低傳導(dǎo)損耗 2.低開關(guān)損耗 3.適用于硬開關(guān)和軟開關(guān) 4.易于控制的切換行為 5.提高效率，從而降低功耗 6.減少設(shè)計工作量 7.易于使用

CoolMOS? CE適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用，作為現(xiàn)代超結(jié)，它提供低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，提高效率，并最終降低功耗。600V、650V和700V CoolMOS? 將平板電腦和充電器（CE）與低功耗產(chǎn)品組合在一起。 英飛凌mos場效應(yīng)管IPA60R650CE功能概述 ?典型值與最大值之間的窄間隙（開） ?輸出電容（E oss）中存儲的能量減少 ?良好的體二極管耐用性和減少的反向恢復(fù)電荷（Q rr） ?優(yōu)化的集成R g 優(yōu)勢 低傳導(dǎo)損耗 ?低開關(guān)損耗 ?適用于硬開關(guān)和軟開關(guān) ?易于控制的切換行為 ?提高效率，從而降低功耗 ?減少設(shè)計工作量 ?易于使用 英飛凌mos場效應(yīng)管IPA60R650CE潛在應(yīng)用 ?筆記本電腦和筆記本適配器 ?低功率充電器 ?照明 ?LCD和LED電視

CoolMOS? E6將英飛凌作為領(lǐng)先的超結(jié)MOS場效應(yīng)管供應(yīng)商的經(jīng)驗與一流的創(chuàng)新相結(jié)合。所提供的器件提供了快速開關(guān)SJ MOSFET的所有優(yōu)點，同時又不犧牲易用性。極低的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗使開關(guān)應(yīng)用更加高效、緊湊、輕便和涼爽。 600伏CoolMOS? E6是600V CoolMOS? 的替代品C3 650V CoolMOS公司? E6是650V CoolMOS? 的替代品 C3 英飛凌MOS場效應(yīng)管IPA60R600E6功能概述 1.易于控制切換行為 2.非常高的換向耐用性 3.由于價值系數(shù)非常低（R DS（ON）*Q g）和E oss，損失極低 4.易于使用 5.與C3相比，輕載效率更好 6.卓越的可靠性和久經(jīng)考驗的CoolMOS? 質(zhì)量與高體二極管耐用性相結(jié)合 7.與以前的CoolMOS相比，性價比更高? 幾代人 8.更高效、更緊湊、更輕、更涼爽