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帶集成自舉二極管、過電流保護、啟用和故障報告的600 V三相門極驅(qū)動IC EiceDRIVER? 緊湊型全橋三相柵驅(qū)動集成電路，采用LS-SOI技術(shù)控制功率器件，如MOS晶體管或600V IGBT 英飛凌MOS管場效應(yīng)管6EDL04N06PT功能特征概要 1.薄膜SOI技術(shù) 2.最大阻塞電壓+600V 3.所有六個驅(qū)動器的獨立控制電路 4.CMOS和LSTTL兼容輸入（正邏輯） 5.每相信號聯(lián)鎖，防止交叉?zhèn)鲗?dǎo) 6.檢測過電流和欠電壓電源

帶集成自舉二極管、過電流保護、啟用和故障報告的200V三相門極驅(qū)動IC EiceDRIVER?緊湊型全橋三相柵驅(qū)動集成電路，采用LS-SOI技術(shù)控制功率器件，如MOS晶體管或180 V IGBT 英飛凌MOS管場效應(yīng)管6EDL04N02PR功能特征概要 1.薄膜SOI技術(shù) 2.最大阻塞電壓+180V 3.所有六個驅(qū)動器的獨立控制電路 4.CMOS和LSTTL兼容輸入（正邏輯） 5.每相信號聯(lián)鎖，防止交叉?zhèn)鲗?dǎo) 6.檢測過電流和欠電壓電源 英飛凌MOS管場效應(yīng)管6EDL04N02PR優(yōu)勢 1.節(jié)省空間的包裝 2.提高能源效率 3.提供客戶評估委員會

帶集成自舉二極管、過電流保護、啟用和故障報告的600 V三相門極驅(qū)動IC EiceDRIVER?緊湊型全橋三相柵驅(qū)動集成電路，采用LS-SOI技術(shù)控制功率器件，如MOS晶體管或600V IGBT。 英飛凌MOS管場效應(yīng)管6EDL04I06NT 特征概要 1.薄膜SOI技術(shù) 2.最大阻塞電壓+600V 3.所有六個驅(qū)動器的獨立控制電路 4.CMOS和LSTTL兼容輸入（負(fù)邏輯） 5.每相信號聯(lián)鎖，防止交叉?zhèn)鲗?dǎo) 6.檢測過電流和欠電壓電源 英飛凌MOS管場效應(yīng)管6EDL04I06NT 優(yōu)勢 1.節(jié)省空間的包裝 2.提高能源效率

帶過電流保護、啟用和故障報告的600 V三相門極驅(qū)動IC EiceDRIVER? 緊湊型600伏三相柵驅(qū)動集成電路，用于在PG-DSO-28封裝中使用典型的0.165 A源極和0.375 A匯極電流的MOS晶體管或igbt。 英飛凌MOS管場效應(yīng)管6ED003L06-F2特征概要 1.薄膜SOI技術(shù) 2.最大阻塞電壓+600V 3.所有六個驅(qū)動器的獨立控制電路 4.CMOS和LSTTL兼容輸入（負(fù)邏輯） 5.每相信號聯(lián)鎖，防止交叉?zhèn)鲗?dǎo) 6.檢測過電流和欠電壓電源

輸入信號是低電壓TTL和3.3V CMOS兼容，具有高達+20V和低至-10V直流的極寬電壓處理能力。在輸入引腳處處理-10V直流電的獨特能力可保護設(shè)備不受地面彈跳的影響。兩個輸出端都能夠利用一個真正的軌對軌輸出級吸收和產(chǎn)生一個5A電流，這確保極低的阻抗，0.7Ω到正極，0.55Ω到負(fù)極分別是鐵軌。 出色的信道間延遲匹配，典型。1ns，通過兩個通道的并聯(lián)實現(xiàn)源和匯容量的無風(fēng)險倍增，峰值可達10A。工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)管腳和不同邏輯輸入/輸出配置的結(jié)合保證了高度的靈活性并縮短了研發(fā)時間。柵極驅(qū)動器有三種封裝選項：PG-DSO-8-pin、PG-VDSON-8-pin和PG-TDSSO-8-pin（體積小，與DSO-8相比熱性能提高）。 英飛凌MOS管場效應(yīng)管2EDN7523F功能特征概要 1.5A峰值源/匯電流 2.5ns（典型）上升/下降時間 3.<10ns傳播延遲容限 4.8V UVLO選項 5.19 ns（典型）傳播延遲，用于控制輸入和啟用 6.-10V控制和啟用輸入 7.穩(wěn)健性 8.輸出對反向電流具有魯棒性 9.2個獨立通道 10.<1ns通道對通道未匹配 11.行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)插針和包裝

帶有電流隔離、短路箝位和獨立接收器/源輸出的1200 V單側(cè)高壓門驅(qū)動器IC EiceDRIVER? 緊湊型-采用CT技術(shù)的mosfet用高壓高速驅(qū)動ic非常適合使用CoolMOS? 的所有拓?fù)銫oolMOS? 3針和4針封裝 英飛凌MOS管場效應(yīng)管1EDI20N12AF功能特征概要 1.獨立源/匯輸出（V電源：35V） 2.輸出：2A@15V 3.1200 V無芯變壓器IC，帶電流隔離 4.道具。延時<105ns，輸入濾波時間40ns 5.高CMTI穩(wěn)健性>100千伏/微秒 6.獨立的源/匯輸出 7.小包裝DSO-815億 英飛凌MOS管場效應(yīng)管1EDI20N12AF優(yōu)勢 1.為所有650V CoolMOS量身定制? C7、P6等超結(jié)MOS晶體管 2.開關(guān)電源等高開關(guān)頻率應(yīng)用，高達4MHz 3.調(diào)諧關(guān)閉與打開 4.高可靠性，占地面積小

600V CoolMOS? CFD7是英飛凌最新的高壓超結(jié)MOSFET技術(shù)，集成了快體二極管，完成了CoolMOS? 7系列。正向電阻? 與競爭對手相比，CFD7具有更低的柵極充電（Qg）、改進的關(guān)斷行為和高達69%的反向恢復(fù)充電（Qrr），以及市場上最低的反向恢復(fù)時間(trr)。 英飛凌MOS管場效應(yīng)管IPW60R031CFD7特征概要 1.超快體二極管 2.同類最佳反向回收費用（Qrr） 3.改進的反向二極管dv/dt和dif/dt耐用性 4.最低FOM RDS（開）x Qg和Eoss 5.同類最佳的RDS（on）/軟件包組合 英飛凌MOS管場效應(yīng)管IPW60R031CFD7優(yōu)勢 1.一流的硬交換堅固性 2.諧振拓?fù)涞淖罡呖煽啃? 3.最高效率和卓越的易用性/性能權(quán)衡 4.增強功率密度解決方案

二極管整流劣勢 1.導(dǎo)通壓降過高，輸出端整流管損耗大； 2.（超）快恢復(fù)二極管1.0～1.2V，用低壓降肖特基二極管，產(chǎn)生0.6V壓降，整流損耗增加； 什么是同步整流 同步整流是用通態(tài)電阻極低專用功率MOS管場效應(yīng)管，來降低整流損耗新技術(shù)。 是柵極電壓與被整流電壓相位保持同步而完成的整流功能。 同步整流優(yōu)勢 1.提高DC／DC變換器效率； 2.肖特基勢壘電壓造成死區(qū)電壓不存在； 3.功率MOS管場效應(yīng)管屬于電壓控制型元器件，導(dǎo)通時，伏安特性呈線性；

VMOS場效應(yīng)管優(yōu)勢 1.輸入阻抗可達108W甚至更高 2.驅(qū)動電流小0.1μA 3.耐壓高最高1200V 4.工作電流范圍大1.5A～100A 5.輸出功率范圍高1～250W 6.跨導(dǎo)的線性好 7.開關(guān)速度快 VMOS場效應(yīng)管應(yīng)用 1.電壓放大器 2.功率放大器 3.開關(guān)電源 4.逆變器

開關(guān)S2體二極管傳導(dǎo)負(fù)載電流IL，直到高側(cè)開關(guān)S1導(dǎo)通。 負(fù)載電流換向S1后，S2漏源電壓開始增加，要拉低或抵消電壓關(guān)斷柵極電阻器，如果此電阻值不夠，那么此電壓有可能超過閾值電平，因此開關(guān)損耗增加或者是直通。 直通嚴(yán)重風(fēng)險再于操作條件及測量硬件，但是主要的是：高總線電壓，電壓陡峭上升，很高的結(jié)溫。此時,導(dǎo)致柵極電壓上拉更強，閾值水平降低。 硬件：影響原因與CGD并聯(lián)的（寄生板電容+外部電容器），關(guān)斷柵極電壓，關(guān)斷柵極電阻。 門收費特性：實際是靜態(tài)的 缺點：柵極電荷特性實際靜態(tài)，寄生導(dǎo)通動態(tài) 特性測試： 條件： 關(guān)斷柵極電壓=0 V TO-247 3引腳+4引腳封裝 1200 V / 45mΩCoolSiC MOS管場效應(yīng)管寄生導(dǎo)通 半橋評估板配置如下電路圖（換流單元） 被測器件=低端開關(guān)，dv / dt發(fā)生器=高端開關(guān) 高側(cè)器件導(dǎo)通時：低側(cè)器件上升漏極—源極間電壓致柵極電壓dvDS / dt，關(guān)斷柵極電阻越低， 寄生導(dǎo)通越小。