MOS管集成電路中電子元器件外面有一層絕緣柵，能避免電壓擊穿。

電子元器件絕緣柵氧化層厚度：25nm + 50nm + 80nm

集成電路高阻抗柵前額電阻，作用：保護二極管，但也不能避免電子元器件靜電損害ESD，

高電壓放電時，電子元器件會失效，如果多次較低電壓放電，也可能因累積失效。

 

靜電損害

1.輸入端或輸出端被破壞，電源端 VDD GND 短路或開路，電子元器件功能完全喪失；

2.出現(xiàn)斷續(xù)失效；

3.泄漏電流增加致電子元器件性能退化；

 

MOS管集成電路靜電預防

1.工作時不要超過電子元器件手冊上的參數(shù)限制值；

2.電子元器件上空閑輸入端接VDD，VSS，接觸良好；

3.低阻抗設備接 CMOS 或 NMOS 集成電路輸入端前，先接通電源，斷開：設備與電子元器件斷開后，再斷開電源；

4.CMOS與NMOS 集成電路印刷電路板，不能用塑料包裝；

5.CMOS與NMOS 集成電路采用抗靜電材料做成包裝運輸或存儲，二氧化碳制冷；

6.操作時工作臺應該接地，電子元器件接觸的手部用導電帶與工作臺連接；

7.自動化操作時，車間內(nèi)應使用電離空氣鼓風機，增濕機使室內(nèi)相對濕度在 35% 以上，與集成電路接觸設備都必須接地；

8. 手工焊接，手腕與焊料罐接地