超級結MOS場效應管如何讓輻射降低并提高效率

超級結可在平面MOS場效應管應用中提高效率，并可降低導通電阻和寄生電容，但會產(chǎn)生電壓dv/dt和電流di/dt快速開關轉換，形成高頻噪聲和輻射EMI。

快速開關超級結MOS場效應管要被驅動，要了解封裝和PCB布局寄生效影響開關性能，

應用超級結所做PCB布局調整。 

 

使用超級結MOS場效應管擊穿電壓=500-600V

如下圖所示

 

典型引線電感=10 nH，即可讓MOS場效應管di/dt=500 A/μs

若：di/dt=500A/μs，10nH引線電感上電壓VIND = 5 V

10nH引線電感關斷di/dt=1,000 A /μs，產(chǎn)生電壓VIND = 10 V

 

注意：附加電感產(chǎn)生的電壓不可忽視；

封裝總源極電感，綁定線和引腳電感要降低，到可接受數(shù)值。

 

布局寄生效應產(chǎn)生的噪聲

可見布局寄生效應：寄生電感+寄生電容

1 cm走線電感=6-10 nH

 

在PCB頂部和底部各添加GND層，電感值即可降低；

如上圖b，布局中容性寄生效應原理

寄生電容引起：兩條相近走線或走線間與另一側地平面間。

 

第二種電容：為元件和地平面間電容。

PCB 板兩面：兩個并行走線可增加電容+減少回路電感，即可減少電磁噪聲輻射。