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設(shè)計(jì)應(yīng)用

20V?P溝道MOS場效應(yīng)管特點(diǎn)優(yōu)勢-MOS場效應(yīng)管知識-竟業(yè)電子

時間:2020/12/16閱讀:1606 關(guān)鍵詞:MOS場效應(yīng)管

20V P溝道功率MOS場效應(yīng)管SiA433EDJ

封裝2mm×2mm熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70

它的導(dǎo)通電阻是傳統(tǒng)的一半;

如:4.5V導(dǎo)通電阻18mΩ 2.5V導(dǎo)通電阻26mΩ  1.8V 導(dǎo)通電阻65mΩ

技術(shù):自矯正,每平方英寸硅片裝1億晶體管+精細(xì)+亞微米間距工藝;

 

SiA433EDJ12V柵源電壓+1.8V額定電壓導(dǎo)通20V電子元器件;

應(yīng)用于:尖峰+噪聲+浪涌+過壓致高柵極驅(qū)動電壓波動;

減少ESD故障,內(nèi)置齊納二極管,ESD保護(hù)提高到1800V

SiA433EDJ符合IEC61249-2-21無鹵素規(guī)范+RoHS指令2002/95/EC+通過完整Rg測試;   

 

SiA433EDJ應(yīng)用

PDA MP3播放器中負(fù)載+智能手機(jī)+充電開關(guān)+電池

MOS場效應(yīng)管管低導(dǎo)通損耗+節(jié)約能量+延長電池壽命