柵極電涌與靜電破壞

柵極-源極間有電壓浪涌或是靜電會引起損壞；

柵極過電壓損壞，通電中靜電：在G與S兩端及安裝，測定設(shè)備都帶電，導(dǎo)致柵極被損壞；

 

 

 

內(nèi)置二極管被損壞

D極與S極兩端間形成寄生二極管運行時，Flyback時MOS管寄生雙極晶體管運行導(dǎo)致此二極管被損壞的模式。

 

雪崩損壞

漏極-源極間外加超出電子元器件額定VDSS電涌電壓，達到擊穿電壓V(BR)DSS值，且超出一定能量，即會損壞；

介質(zhì)負(fù)載開關(guān)運行斷開時，產(chǎn)生回掃電壓，漏磁電感產(chǎn)生尖峰電壓超出MOS管漏極額定耐壓后進入擊穿區(qū)，導(dǎo)致被損壞模式所引起的雪崩損壞。

 

 

MOS管本身發(fā)熱而損壞

超出安全工作區(qū)域而引起發(fā)熱:直流功率+瞬態(tài)功率

 

直流功率

外加直流功率引起損耗而發(fā)熱

1.負(fù)載短路;

2.漏電流IDSS損耗;

3.在高溫時RDS(on)導(dǎo)通電阻RDS(on)損耗增大，再一定電流下，功耗增加;

4.瞬態(tài)功率原因：外加單觸發(fā)脈沖;

5.內(nèi)置二極管trr損耗;

6.開關(guān)損耗；

 

寄生振蕩損壞

1.發(fā)生在并聯(lián)時：并聯(lián)MOS管時，沒有插入柵極電阻，直接連接發(fā)生柵極寄生振蕩。

2.高速反復(fù)接通和斷開漏極-源極間電壓時，柵極-漏極間電容Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg形成諧振電路，發(fā)生此寄生振蕩。

3.當(dāng)諧振條件ωL=1/ωC時，柵極-源極間外加電壓 > 驅(qū)動電壓Vgs(in)振動電壓，超出柵極-源極間額定電壓，導(dǎo)致?lián)p壞；

4.接通與斷開漏極-源極間電壓時振動電壓，在通過柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導(dǎo)致正向反饋，由于誤動作可引起振蕩破壞；