ST意法提供了一個廣泛的RF D MOS管（雙擴散金屬氧化物半導體）的電源電壓范圍從50到150 V，具有高可靠性（100萬個功率周期）。

 

針對1至250兆赫頻率范圍內(nèi)的應用，我們的射頻d mos管具有高峰值功率（高達1.2千瓦）和高耐用性能力（無限：1駐波比）。

 

基于優(yōu)化的工藝布局，提高了射頻性能，ST意法的射頻D MOS管非常適合：

 

1.射頻等離子體發(fā)生器

2.激光驅(qū)動器

3.射頻加熱和除霜

4.磁共振成像（MRI）

5.高頻收發(fā)器

6.調(diào)頻廣播

 

除了安裝在ST意法創(chuàng)新的Stac®空氣腔封裝中的器件具有25%的低熱阻外，還提供了一系列凝膠填充封裝的抗?jié)裆漕l晶體管，為在高濕度環(huán)境下運行的設備提供了一個經(jīng)濟有效的解決方案。