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電子元器件百科

  • MOS管SPW47N60C3功能概述及應用
    MOS管SPW47N60C3功能概述及應用
    600V Coolmos?C3是英飛凌2001年推出的第三系列Coolmos?產品。C3是投資組合中的“最生要部份”。 MOS管SPW47N60C3功能概述: 1.低比導通電阻(rds(on)*a) 2.400V時輸出電容(Eoss)儲能非常低 3.低柵電荷(QG) 4.經現場驗證的CoolMOS?質量 5.自1998年起,英飛凌就開始生產CoolMOS?技術 MOS管SPW47N60C3優(yōu)勢: 1.高效率和功率密度 2.卓越的成本/性能 3.高可靠性

    時間:2019/11/22 關鍵詞:SPW47N60C3

  • 用于igbt和mosfet的ji級移相高壓門極驅動集成電路
    用于igbt和mosfet的ji級移相高壓門極驅動集成電路
    p-n結隔離(ji)技術是一種成熟、成熟的工業(yè)標準mos/cmos制造技術。我們專有的高壓集成電路(HVIC)和鎖存免疫CMOS技術使堅固的單片結構成為可能。先進的工藝允許單片高壓和低壓電路結構,為特定的電機控制和開關電源應用提供最佳的性價比。JI電平移位高壓門驅動器ICs系列具有過電流保護、關機、故障報告、使能、OPAMP、DESAT、可編程死區(qū)時間、穿透保護、獨立的接收器和源輸出、低UVLO(5v)、自振蕩等高級功能。

    時間:2019/11/4 關鍵詞:mosfet

  • Mos管分類
    Mos管分類
    MOSFET管是FET的一種,另一種是JFET; 它分為增強型,耗盡型,P溝道,N溝道共4種類型; 雖然分有4種類型,但實際應用的只有NMOS和PMOS,即增強型的N溝道和P溝道MOS管。 在NMOS和PMOS中,因為NMOS管導通電阻小,且容易,所以最常應用于開關電源和馬達驅動中的是NMOS管。

    時間:2019/11/1 關鍵詞:Mos管

  • 英飛凌 CoolSiC?肖特基二極管
    英飛凌 CoolSiC?肖特基二極管
    CoolSiC?肖特基二極管G5以誘人的成本提供市場領先的效率從結結構、基片和模具連接等方面對其進行了優(yōu)化它代表了一個平衡良好的產品系列,以具有競爭力的成本水平提供最先進的性能和高激增能力。 650V Rapid 1和Rapid 2硅功率二極管 英飛凌的高效、快速恢復650V Rapid 1和Rapid 2硅二極管系列結合了超薄晶片制造專業(yè)知識,具有低損耗垂直結構和獨特的電池設計,Rapid二極管提供卓越的性能。 該裝置通過填充碳化硅(SiC)二極管和發(fā)射極控制二極管之間的間隙來補充英飛凌現有的高功率600伏和650V二極管組合,以解決超快和超高功率硅二極管市場。

    時間:2019/11/1 關鍵詞:二極管

  • MOS管SPP20N60C3的功能概述及應用
    MOS管SPP20N60C3的功能概述及應用
    MOS管SPP20N60C3功能概述: 1.特定的導通電阻(rds(on)*a) 2.400V時輸出電容(EOSS)儲能非常低 3.低柵電荷(QG) 4.經驗證的Coolmos?質量 5.自1998年起,英飛凌就開始生產Coolmos?技術 MOS管SPP20N60C3優(yōu)勢: 1.高效率和功率密度 2.卓越的成本/性能 3.高可靠性 4.易用性

    時間:2019/12/16 關鍵詞:SPP20N60C3

  • CoolMOS管IPD65R420CFDA功能及優(yōu)勢
    CoolMOS管IPD65R420CFDA功能及優(yōu)勢
    CoolMOS管IPD65R420CFDA功能概述:1.市場上首個650V汽車用集成快速體二極管技術 2.硬換相期間的有限電壓超調——自限di/dt和dv/dt 3.低柵極電荷值Q g 4.重復換向體二極管的低Q rr和低Q oss 5.減少開啟和開啟延遲時間 6.符合AEC Q101標準 CoolMOS管IPD65R420CFDA優(yōu)勢: 1.較高的擊穿電壓增加了安全裕度 2.減少EMI外觀,易于設計 3.更好的輕載效率 4.降低開關損耗 5.更高的開關頻率或更高的占空比 6.高質量和可靠性

    時間:2019/10/28 關鍵詞:CoolMOS管

  • 德州儀器:N溝道MOS管 DRV8711EVM
    德州儀器:N溝道MOS管 DRV8711EVM
    N 溝道?MOS管:一流的電阻和柵極電荷,可實現高頻操作和更高的功率密度。工具和開發(fā)套件,DRV8711EVM:用于具有片上 1/256 微步進分度器的步進電機前置驅動器的評估模塊,DRV8711是一個步進電機控制器,使用外部N通道m(xù)os管驅動雙極步進電機或兩個刷直流電機。集成了微步索引器,最多支持1/256微步。DRV8711能夠提供超平滑的運動輪廓,電機失速可以通過車載LED進行監(jiān)控。

    時間:2019/10/25 關鍵詞:MOS管

  • Vishay 醫(yī)療手持式電子血糖儀
    Vishay 醫(yī)療手持式電子血糖儀
    從大型設備,如磁共振成像系統(tǒng)和X光機,到小型設備,如助聽器、醫(yī)療產品和系統(tǒng),使用Vishay制造的部件類型。它們被用于神經刺激器、起搏器、除顫器、病人監(jiān)測系統(tǒng)、醫(yī)療儀器設備、血壓袖帶、血糖儀等。Vishay是一家領先的起搏器、除顫器和除顫器變壓器遙測線圈制造商,以及植入式設備和助聽器電容器制造商。

    時間:2019/10/25 關鍵詞:Vishay

  • 射頻D MOS管(DMOS晶體管)
    射頻D MOS管(DMOS晶體管)
    ST意法提供了一個廣泛的RF D MOS管(雙擴散金屬氧化物半導體)的電源電壓范圍從50到150 V,具有高可靠性(100萬個功率周期)。針對1至250兆赫頻率范圍內的應用,我們的射頻d mos管具有高峰值功率(高達1.2千瓦)和高耐用性能力(無限:1駐波比)。

    時間:2019/10/17 關鍵詞:MOS管

  • hirel輻射硬功率mos晶體管
    hirel輻射硬功率mos晶體管
    基于獨特的Infineon Coolmos?技術,輻射硬功率mos晶體管是250V設備輻射硬度和電氣性能的全球基準。TID硬度規(guī)定為100Krad(根據要求為300Krad),SEE用XE測試為LET55,用Au離子測試為LET84。憑借極低的比電阻和舒適的節(jié)能操作區(qū)(soa),see英飛凌現在為各種空間和航空電子應用提供一流的輻射硬功率mos晶體管。

    時間:2019/10/16 關鍵詞:mos晶體管

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