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MOS管產(chǎn)品選擇重點看這幾點：選擇PMOS管還是NMOS管 ，MOS管的額定電流選擇 ，開關性能的選擇及MOS管的散熱，選擇MOS管產(chǎn)品之前,首先要先了解什么是MOS管? MOS管的作用？才能更好的選擇。 什么是MOS管： MOS管是金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管。 MOS管分類： MOS管分分為N溝道與P溝道兩大類即NMOS管和PMOS管；

MOS管SPD02N80C3的功能概述 1.低比導通電阻（RDS（on）*A） 2.400V時輸出電容（Eoss）儲能非常低 3.低柵電荷（Qg） 4.經(jīng)現(xiàn)場驗證的CoolMOS?質(zhì)量 5.自1998年起，英飛凌就開始生產(chǎn)CoolMOS?技術 MOS管SPD02N80C3的優(yōu)勢 1.高效率和功率密度 2.卓越的成本/性能 3.高可靠性 4.易用性 MOS管SPD02N80C3的應用： 1.消費者 2.PC電源 3.適配器 4.照明 5.太陽能

MOS管IPW60R070C6的功能概述 1.易于控制切換行為 2.由于非常低的價值（R D（開）*Q g和E oss）而造成的極低損失 3.很高的換相強度 4.易于使用 5.輕載效率高于C3 6.卓越的可靠性和久經(jīng)考驗的CoolMOS?質(zhì)量，結合高體二極管堅固性 7.與前幾代CoolMOS?相比，性價比更高 8.更高效、更緊湊、更輕、更涼爽 MOS管IPW60R070C6優(yōu)勢 1.提高功率密度 2.提高可靠性 3.通用部件可用于軟交換和硬交換拓撲 4.更好的輕載效率 5.提高硬交換應用的效率 6.提高易用性 7.減少由于pcb布局和封裝寄生效應而可能出現(xiàn)的振鈴 MOS管IPW60R070C6應用 1.消費者 2.適配器 3.情緒化 4.服務器和電信的PFC階段 5.脫脂奶粉 6.PC電源 7.太陽能 8.照明

場效應管IPW65R045C7的功能概述： 1.650V電壓 2.革命性的一流R DS（開）/包裝 3.輸出電容（Eoss）中存儲的能量減少 4.較低的門電荷Qg 5.通過使用較小的包裝或減少零件來節(jié)省空間 6.12年超連接技術制造經(jīng)驗 場效應管IPW65R045C7的優(yōu)勢： 1.提高了安全裕度，適用于開關電源和太陽能逆變器應用 2.最低傳導損耗/封裝 3.低開關損耗 4.更好的輕載效率 5.提高功率密度 6.卓越的CoolMOS?質(zhì)量 場效應管IPW65R045C7的應用： 1.電信 2.服務器

場效應管SPW35N60C3的功能概述： 1.低比導通電阻（RDS（on）*A） 2.400V時輸出電容（Eoss）儲能非常低 3.低柵電荷（Qg） 4.經(jīng)現(xiàn)場驗證的CoolMOS?質(zhì)量 5.自1998年起，英飛凌就開始生產(chǎn)CoolMOS?技術 場效應管SPW35N60C3的優(yōu)勢： 1.高效率和功率密度 2.卓越的成本/性能 3.高可靠性 4.易用性 場效應管SPW35N60C3的應用： 1.服務器 2.電信 3.消費電子 4.PC電源 5.適配器

650V CoolMOS?CFD2的替代品是600V CoolMOS?CFD7 650V CoolMOS?CFD2是英飛凌第二代市場領先的高電壓CoolMOS?mosfet，帶有集成快體二極管。CFD2裝置是600V CFD的后繼產(chǎn)品，提高了能效。較軟的換相行為，因此更好的電磁干擾行為，使該產(chǎn)品明顯優(yōu)于競爭對手的部分。 MOS管IPW65R041CFD的功能概述： 1.650V技術，集成快速體二極管 2.硬換相期間的有限電壓超調(diào) 3.與600V CFD技術相比，Qg顯著降低 4.較緊的RDS（開）max到RDS（開）typ窗口 5.易于設計 6.與600V CFD技術相比，價格更低 MOS管IPW65R041CFD的優(yōu)勢: 1.由于重復換向體二極管的低Qrr而導致的低開關損耗 2.自限di/dt和dv/dt 3.低生活質(zhì)量 4.減少開啟和開啟延遲時間

DPS368的優(yōu)點 1.超小型 2.防水 3.防塵 4.防潮 DPS368的應用 1.移動 2.提供活動跟蹤和導航等可穿戴設備 3.家用電器的氣流控制 4.無人機的飛行穩(wěn)定性 5.醫(yī)療設備 6.智能吸入器 DPS368的特點： ?DPS368小型化的數(shù)字氣壓傳感器能夠同時測量壓力和溫度，提供了超高精度的±2厘米和低電流消耗的高度，氣流和身體運動的精確測量。 由于有著堅固的包裝，DPS368可以承受50米的水下一小時（IPx8）和保護感測單元免受灰塵和濕度。因此，裝配線上的板處理也很方便。與其他防水傳感器相比，8針LGA封裝的小尺寸為2.0 x 2.5 x 1.1 mm 3，節(jié)省了高達80%的空間。

150V OptiMOS?的R D（開）降低了40%，性能指標（FOM）降低了45%。這種巨大的改進帶來了新的可能性，比如從含鉛的軟件包轉移到SMD軟件包，或者用一個OptiMOS?部件有效地替換兩個舊部件。 MOS管IPB072N15N3 G的功能概述： 1.卓越的開關性能 2.世界最低研發(fā)水平（on） 3.非常低的Q g和Q gd 4.出色的柵電荷x R DS（on）產(chǎn)品（FOM） 5.符合RoHS標準的無鹵素 6.MSL1等級2

MOS管是金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管，它分為N溝道與P溝道兩大類即NMOS管和PMOS管；PMOS的工作原理： PMOS是N型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，NMOS的工作原理：vGS對iD及溝道的控制作用 ?vGS=0 的情況 增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結。當柵——源電壓vGS=0時，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結處于反偏狀態(tài)，漏——源極間沒有導電溝道，所以這時漏極電流iD≈0。

50V CoolMOS?CFD2是英飛凌第二代市場領先的高電壓CoolMOS?mos管，帶有集成快體二極管。CFD2裝置是600V CFD的后繼產(chǎn)品，提高了能效。較軟的換相行為，因此更好的電磁干擾行為，使該產(chǎn)品明顯優(yōu)于競爭對手的部分。 場效應管MOS管功能概述： 1.650V技術，集成快速體二極管 2.硬換相期間的有限電壓超調(diào) 3.與600V CFD技術相比，Qg顯著降低 4.較緊的RDS（開）max到RDS（開）typ窗口 5.易于設計 6.與600V CFD技術相比，價格更低