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我們一般把MOS管（場(chǎng)效應(yīng)管）稱之為被電壓控制的元器件；? 在MOS電容的柵極相對(duì)于襯底正偏置時(shí)，穿過柵極絕緣層的電場(chǎng)加強(qiáng)，會(huì)有更多的電子從BACKGATE被拉上，并且空穴被排斥出表面。 當(dāng)柵極電壓的升高時(shí)，會(huì)出現(xiàn)表面電子比空穴更多，電子過過剩，硅表層因此像N型硅， 摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion，反轉(zhuǎn)硅層叫做溝道。 柵極的電壓不斷的上升，在其的表層聚集的電子不斷的增多，溝道則變成強(qiáng)反轉(zhuǎn)，在溝道形成的電壓稱之閾值電壓Vt，柵極與襯底之間產(chǎn)生電壓小于閾值電壓Vt時(shí)，并不會(huì)形成溝道； 1.如果說MOS管（場(chǎng)效應(yīng)管）是電壓控制的元器件，那么晶體則是電流控制的元器件，

650V CoolMOS的更換? CFD2為600V CoolMOS? CFD7型 650V?CoolMOS? CFD2是英飛凌第二代市場(chǎng)領(lǐng)先的高壓CoolMOS? 集成快體二極管的mosfet。CFD2裝置是600V CFD的后繼產(chǎn)品，提高了能效。較軟的換相行為，因此更好的電磁干擾行為，使該產(chǎn)品明顯優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的部分。 英飛凌MOS管IPW65R080CFD的功能特征概要 1.650V技術(shù)，集成快速體二極管 2.硬換相期間的有限電壓超調(diào) 3.與600V CFD技術(shù)相比，Qg顯著降低 4.較緊的RDS（開）max到RDS（開）typ窗口 5.易于設(shè)計(jì) 6.與600V CFD技術(shù)相比，價(jià)格更低

OptiMOS??5功率MOSFET在SuperSO8封裝提供了最新的技術(shù)，并在封裝溫度的改善。這種新的組合使得更高的功率密度和更強(qiáng)的魯棒性。 與額定值較低的設(shè)備相比，175°C TJ_MAX功能在較高的工作結(jié)溫度下提供更多的功率，或在相同的工作結(jié)溫度下提供更長(zhǎng)的使用壽命。此外，安全操作區(qū)（SOA）的性能提高了20%。這個(gè)新的軟件包功能非常適合電信、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和服務(wù)器等應(yīng)用。 英飛凌MOS管BSC014N06NST的特征概要 1.低RDS（開） 2.針對(duì)同步整流進(jìn)行優(yōu)化 3.增強(qiáng)了SuperSO8的175°C性能 英飛凌MOS管BSC014N06NST的優(yōu)勢(shì) 1.壽命更長(zhǎng) 2.最高效率和功率密度 3.最高的系統(tǒng)可靠性 4.熱穩(wěn)定性

OptiMOS? ?560V優(yōu)化用于開關(guān)電源（SMP）中的同步整流，如服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)和平板電腦充電器中的同步整流。此外，這些器件是廣泛的工業(yè)應(yīng)用的完美選擇，包括電機(jī)控制、太陽(yáng)能微型逆變器和快速開關(guān)DC-DC變換器。 英飛凌MOS管BSC066N06NS的功能特征概要 1.針對(duì)同步整流進(jìn)行優(yōu)化 2.比替代設(shè)備的Rd（開）低40% 3.與同類設(shè)備相比，F(xiàn)OM提高了40% 4.符合RoHS-無鹵素 5.MSL1級(jí)

英飛凌的100V OptiMOS? 功率mosfet為高效率、高功率密度的開關(guān)電源提供了優(yōu)越的解決方案。與次優(yōu)技術(shù)相比，這一系列產(chǎn)品的研發(fā)（on）和性能指標(biāo)（FOM）都降低了30%。 英飛凌MOS管BSC060N10NS3G的功能特征概要 1.卓越的開關(guān)性能 2.世界最低研發(fā)水平（on） 3.非常低的Q g和Q gd 4.出色的柵電荷x R DS（on）產(chǎn)品（FOM） 5.符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無鹵素 6.MSL1等級(jí)2

英飛凌的100V OptiMOS? 功率MOS管為高效率、高功率密度的開關(guān)電源提供了優(yōu)越的解決方案。與次優(yōu)技術(shù)相比，這一系列產(chǎn)品的研發(fā)（on）和性能指標(biāo)（FOM）都降低了30%。 英飛凌MOS管IPD068N10N3G的特征概要 1.卓越的開關(guān)性能 2.世界最低研發(fā)水平（on） 3.非常低的Q g和Q gd 4.出色的柵電荷x R DS（on）產(chǎn)品（FOM） 5.符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無鹵素 6.MSL1等級(jí)2

英飛凌MOS管BSC039N06NS的功能特征 1.針對(duì)同步整流進(jìn)行優(yōu)化 2.適用于高開關(guān)頻率 3.輸出電容降低高達(dá)44% 4.研發(fā)投入比上一代產(chǎn)品減少43% 英飛凌MOS管BSC039N06NS的優(yōu)勢(shì) 1.最高的系統(tǒng)效率 2.降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗 3.需要較少的并聯(lián) 4.功率密度增加 5.低壓超調(diào) 英飛凌MOS管BSC039N06NS的應(yīng)用 1.電信 2.服務(wù)器 3.太陽(yáng)能 4.低壓驅(qū)動(dòng)器 5.輕型電動(dòng)汽車 6.適配器

英飛凌MOS管BSC035N10NS5的特征概要 1.針對(duì)同步整流進(jìn)行優(yōu)化 2.適用于高開關(guān)頻率 3.輸出電容降低高達(dá)44% 4.研發(fā)投入比上一代產(chǎn)品減少43% 英飛凌MOS管BSC035N10NS5的優(yōu)勢(shì) 1.最高的系統(tǒng)效率 2.降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗 3.需要較少的并聯(lián) 4.功率密度增加 5.低壓超調(diào) 英飛凌MOS管BSC035N10NS5的應(yīng)用 1.電信 2.服務(wù)器 3.太陽(yáng)能 4.低壓驅(qū)動(dòng)器 5.輕型電動(dòng)汽車 6.適配器

英飛凌MOS管BSC028N06NS的特征概要 1.針對(duì)同步整流進(jìn)行優(yōu)化 2.比替代設(shè)備的Rd（開）低40% 3.與同類設(shè)備相比，F(xiàn)OM提高了40% 4.符合RoHS-無鹵素 5.MSL1級(jí) 英飛凌MOS管BSC028N06NS的優(yōu)勢(shì) 1.最高的系統(tǒng)效率 2.需要較少的并聯(lián) 3.功率密度增加 4.降低系統(tǒng)成本 5.超低電壓 英飛凌MOS管BSC028N06NS的應(yīng)用 1.同步整流 2.太陽(yáng)能微型逆變器 3.隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器 4.12-48V系統(tǒng)的電機(jī)控制 5.Or-ing開關(guān)

英飛凌的40V和60V產(chǎn)品系列不僅具有業(yè)界最低的R D D（開），而且對(duì)于快速切換應(yīng)用程序來說，具有完美的切換行為。先進(jìn)的薄晶片技術(shù)實(shí)現(xiàn)了比替代器件低15%的rd（on）和31%的優(yōu)值（R DS（on）x Q g）。 MOS管BSC014N04LS的概要 1.針對(duì)同步整流進(jìn)行優(yōu)化 2.比替代設(shè)備的Rd（開）低15% 3.與同類設(shè)備相比，F(xiàn)OM提高了31% 4.符合RoHS-無鹵素 MOS管BSC014N04LS的優(yōu)勢(shì) 1.最高的系統(tǒng)效率 2.需要較少的并聯(lián) 3.功率密度增加 4.降低系統(tǒng)成本 5.超低電壓