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  • 東芝推出MOS管場(chǎng)效應(yīng)管TPH2R408QM和TPN19008QM
    東芝推出MOS管場(chǎng)效應(yīng)管TPH2R408QM和TPN19008QM
    東芝最新推出的MOS管場(chǎng)效應(yīng)管TPH2R408QM和TPN19008QM是屬于U-MOS X-H系列,是用最新一代工作制造技術(shù),它們都屬于80V N溝道功率MOS管場(chǎng)效應(yīng)管。 MOS管場(chǎng)效應(yīng)管TPH2R408QM和TPN19008QM應(yīng)用: 1.數(shù)據(jù)中心工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源 2.通信基站工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源 3.高效AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器(開(kāi)關(guān)電源) 4.電機(jī)控制設(shè)備(電機(jī)驅(qū)動(dòng)等)

    時(shí)間:2020/4/13 關(guān)鍵詞:TPH2R408QM

  • 英飛凌MOS管IPD90R1K2C3功能參數(shù)及應(yīng)用
    英飛凌MOS管IPD90R1K2C3功能參數(shù)及應(yīng)用
    更換CoolMOS? C3是CoolMOS? P7 900伏CoolMOS? C3是英飛凌的第三系列CoolMOS? 2001年進(jìn)入市場(chǎng)。C3是投資組合中的“主力軍”。 英飛凌MOS管IPD90R1K2C3功能特征 1.低比導(dǎo)通電阻(RDS(on)*A) 2.400V時(shí)輸出電容(Eoss)儲(chǔ)能非常低 3.低柵電荷(Qg) 4.經(jīng)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的CoolMOS? 質(zhì)量 5.CoolMOS公司? 自1998年以來(lái),英飛凌一直在生產(chǎn)技術(shù)

    時(shí)間:2020/4/10 關(guān)鍵詞:MOS管

  • 英飛凌MOS管IPW60R070P6功能參數(shù)及應(yīng)用
    英飛凌MOS管IPW60R070P6功能參數(shù)及應(yīng)用
    英飛凌Infineon?CoolMOS? ?P6超結(jié)MOSFET系列的設(shè)計(jì),使更高的系統(tǒng)效率,同時(shí)易于設(shè)計(jì)。正向電阻? P6縮小了專(zhuān)注于提供最終性能的技術(shù)與更專(zhuān)注于易用性的技術(shù)之間的差距。 英飛凌MOS管IPW60R070P6功能特征 1.降低柵極電荷(Q g) 2.較高的V th 3.良好的體二極管堅(jiān)固性 4.優(yōu)化的集成R g 5.從50V/ns提高了dv/dt 6.CoolMOS公司? 具有12年以上超級(jí)連接技術(shù)制造經(jīng)驗(yàn)的質(zhì)量

    時(shí)間:2020/4/9 關(guān)鍵詞:MOS管

  • 為何MOS管場(chǎng)效應(yīng)管會(huì)發(fā)熱?
    為何MOS管場(chǎng)效應(yīng)管會(huì)發(fā)熱?
    驅(qū)動(dòng)或電源設(shè)計(jì)中,要使用到MOS管場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)關(guān)作用。 MOS管場(chǎng)效應(yīng)管的兩種型號(hào)N型和P型都是由加在輸入端柵極電壓控制輸出端漏極電流, MOS管場(chǎng)效應(yīng)管并不會(huì)發(fā)生因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng),并且開(kāi)關(guān)的速度反應(yīng)快,所以在設(shè)計(jì)中不選擇三極管頁(yè)選擇MOS管場(chǎng)效應(yīng)管的原因。

    時(shí)間:2020/4/7 關(guān)鍵詞:MOS管

  • 英飛凌MOS管場(chǎng)效應(yīng)管IPB042N10N3G的功能參數(shù)及應(yīng)用
    英飛凌MOS管場(chǎng)效應(yīng)管IPB042N10N3G的功能參數(shù)及應(yīng)用
    英飛凌的100V OptiMOS? 功率mosfet為高效率、高功率密度的開(kāi)關(guān)電源提供了優(yōu)越的解決方案。與次優(yōu)技術(shù)相比,這一系列產(chǎn)品的研發(fā)(on)和性能指標(biāo)(FOM)都降低了30%。 英飛凌MOS管場(chǎng)效應(yīng)管IPB042N10N3G的功能特征 1.卓越的開(kāi)關(guān)性能 2.世界最低研發(fā)水平(on) 3.非常低的Q g和Q gd 4.出色的柵電荷x R DS(on)產(chǎn)品(FOM) 5.符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鹵素 6.MSL1等級(jí)2 英飛凌MOS管場(chǎng)效應(yīng)管IPB042N10N3G的優(yōu)勢(shì) 1.環(huán)保 2.提高效率 3.最高功率密度 4.需要較少的并聯(lián)

    時(shí)間:2020/4/3 關(guān)鍵詞:MOS管

  • MOS管開(kāi)關(guān)功能與三極管優(yōu)劣對(duì)比
    MOS管開(kāi)關(guān)功能與三極管優(yōu)劣對(duì)比
    MOS管場(chǎng)效應(yīng)管與三極管比較 1.功能:MOS管電壓控制,三極管電流控制 2.功耗:MOS管損耗小,三極管損耗大 3.成本:MOS管比三極管貴 4.驅(qū)動(dòng)能力:mos管電源開(kāi)關(guān),大電流電路開(kāi)關(guān)控制,基極或漏極控制電流比較敏感處 5.三極管數(shù)字電路開(kāi)關(guān)控制,在沒(méi)有足夠資金時(shí),先考慮三極管,其次是MOS管 MOS管場(chǎng)效應(yīng)管優(yōu)勢(shì) 1.MOS管場(chǎng)效應(yīng)管:高輸入阻抗+低噪聲。 2.MOS管場(chǎng)效應(yīng)管:結(jié)型和絕緣柵型。 3.MOS管場(chǎng)效應(yīng)管電壓控制,晶體管電流控制: 當(dāng)只允許從信號(hào)源取較少電流時(shí),即選場(chǎng)效應(yīng)管; 當(dāng)信號(hào)電壓較低,允許從信號(hào)源取較多電流時(shí),即選晶體管; 4.MOS管場(chǎng)效應(yīng)管:源極和漏極可互換使用,柵極電壓正負(fù)互換,靈活性好。 5.MOS管場(chǎng)效應(yīng)管:小電流+低電壓下工作,場(chǎng)效應(yīng)管可集成在硅片上,在集成電路中應(yīng)用。

    時(shí)間:2020/4/3 關(guān)鍵詞:MOS管

  • MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)驅(qū)動(dòng)電路分析及注意事項(xiàng)
    MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)驅(qū)動(dòng)電路分析及注意事項(xiàng)
    MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或是馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路,我們經(jīng)??紤]的是MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)的導(dǎo)通電阻,最大電壓及電流因素,但是這并不是完美的設(shè)計(jì),甚至在正式設(shè)計(jì)中是不被接受的。 MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)種類(lèi)和結(jié)構(gòu) MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)= FET?+ JFET,可設(shè)計(jì)成 增強(qiáng)型?+ 耗盡型?+ P溝道?+ N溝道 最常用到的是:增強(qiáng)型的N溝道(NMOS)?+ 增強(qiáng)型的P溝道(PMOS) 增強(qiáng)型的N溝道(NMOS)優(yōu)勢(shì)是:通電阻小?+ 容易設(shè)計(jì),因此在開(kāi)關(guān)電源,馬達(dá)驅(qū)動(dòng)?最常用; MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)有三個(gè)管腳,分別是G、S、D,三個(gè)管腳之間存在寄生電容,因制造工藝限制,寄生電容會(huì)讓設(shè)計(jì)及選擇驅(qū)動(dòng)電路時(shí)會(huì)復(fù)雜一些; MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)的漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管,我們把它叫作體二極管,在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載(如馬達(dá))中此二極管非常重要的,但此二極管在集成電路芯片內(nèi)部是沒(méi)有的。

    時(shí)間:2020/4/2 關(guān)鍵詞:

  • 英飛凌MOS管SPP17N80C3功能參數(shù)及應(yīng)用
    英飛凌MOS管SPP17N80C3功能參數(shù)及應(yīng)用
    更換CoolMOS? C3是CoolMOS? P7 800伏CoolMOS? C3是英飛凌的第三系列CoolMOS? 2001年進(jìn)入市場(chǎng)。C3是投資組合中的“主力軍”。 英飛凌MOS管場(chǎng)效應(yīng)管SPP17N80C3的功能特征概要 1.低比導(dǎo)通電阻(RDS(on)*A) 2.400V時(shí)輸出電容(Eoss)儲(chǔ)能非常低 3.低柵電荷(Qg) 4.經(jīng)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的CoolMOS? 質(zhì)量 5.CoolMOS公司? 自1998年以來(lái),英飛凌一直在生產(chǎn)技術(shù)

    時(shí)間:2020/4/1 關(guān)鍵詞:MOS管

  • 英飛凌MOS管ICE3BR2280JZ功能參數(shù)及應(yīng)用
    英飛凌MOS管ICE3BR2280JZ功能參數(shù)及應(yīng)用
    集成電源管理芯片與800V雪崩堅(jiān)固型CoolMOS集成?DIP-7軟件包中的啟動(dòng)單元和定頻電流模式反激式PWM控制器??捎糜?4W開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)。附加功能包括:輸入電壓不足功能、達(dá)到極低待機(jī)功耗的主動(dòng)突發(fā)模式操作、獲得低EMI的頻率抖動(dòng)、便于負(fù)載跳躍的可調(diào)消隱窗口和允許您從整流線(xiàn)路快速給控制器供電的高壓?jiǎn)?dòng)單元。 英飛凌MOS管ICE3BR2280JZ功能特征概要 1.峰值電流控制(電流模式) 2.65kHz固定開(kāi)關(guān)頻率,頻率抖動(dòng)(低EMI) 3.可調(diào)消隱窗口 4.增強(qiáng)的主動(dòng)突發(fā)模式(低待機(jī)功率<100mW) 5.增強(qiáng)的集成保護(hù)功能(自動(dòng)重啟) 6.精確的峰值功率限制 7.調(diào)制門(mén)驅(qū)動(dòng) 8.瀏覽 9.自動(dòng)重啟啟用引腳等。

    時(shí)間:2020/3/30 關(guān)鍵詞:MOS管

  • MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)BTS723GW功能參數(shù)及應(yīng)用
    MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)BTS723GW功能參數(shù)及應(yīng)用
    gh側(cè)功率開(kāi)關(guān),集成垂直功率場(chǎng)效應(yīng)管,提供嵌入式保護(hù)和診斷功能。 ??????? MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)BTS723GW特征概要 1.非常低的待機(jī)電流 2.CMOS兼容輸入 3.改善電磁兼容性(EMC) 4.感應(yīng)負(fù)載快速消磁 5.欠壓時(shí)的穩(wěn)定行為 6.寬工作電壓范圍 7.獨(dú)立于負(fù)載接地的邏輯接地 8.優(yōu)化的逆電流能力 9.過(guò)載保護(hù) 1.電流限制 11短路保護(hù) 12.熱關(guān)機(jī) 13.過(guò)電壓保護(hù)(包括甩負(fù)荷) 14.帶外部電阻器的反向電池保護(hù) 15.靜電放電(ESD)保護(hù) 16.開(kāi)漏診斷輸出 17斷開(kāi)狀態(tài)下的打開(kāi)負(fù)載檢測(cè) 18熱關(guān)機(jī)狀態(tài)反饋 19反向電流時(shí),兩個(gè)通道的診斷反饋均正常工作

    時(shí)間:2020/3/27 關(guān)鍵詞:MOS管

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