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碳化硅mosfet驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要求 1.峰值電流Imax要更大，米勒平臺(tái)持續(xù)時(shí)間要減小，提高速開(kāi)關(guān)； 2.驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)能力要強(qiáng)； 3.用負(fù)壓關(guān)斷，因噪聲干擾會(huì)導(dǎo)致誤開(kāi)通； 4.驅(qū)動(dòng)電路寄生電感盡可能的減小影響； 5.增加吸收電容：在布局PCB時(shí)加入適量吸收電容； 6.驅(qū)動(dòng)電壓要足夠大，減小導(dǎo)通損耗； 7.驅(qū)動(dòng)電流要足夠大； 8.驅(qū)動(dòng)回路阻抗要小，開(kāi)通時(shí)快速對(duì)柵極電容充電，關(guān)斷時(shí)柵極電容能夠快速放電； 9.觸發(fā)脈沖有比較快的上升速度和下降速度，脈沖前沿和后沿要陡；

EiceDRIVER?汽車用電隔離單通道IGBT驅(qū)動(dòng)芯片 英飛凌1ED020I12FTA特征概要 1.無(wú)芯變壓器隔離驅(qū)動(dòng)器 2.集成保護(hù)功能 3.適合在高環(huán)境溫度下運(yùn)行 4.汽車合格 5.2A軌對(duì)軌輸出 6.V（cesat）-檢測(cè) 7.活動(dòng)米勒夾 8.兩級(jí)關(guān)斷 英飛凌1ED020I12FTA優(yōu)勢(shì) 1.具有成本效益的技術(shù) 2.緊湊的設(shè)計(jì)

1.R＋C的啟動(dòng)電路中電阻損耗，在待機(jī)時(shí)損耗大； 解決方案： 1.兼容產(chǎn)品啟動(dòng)+短路能力+取大R值 2.不讓R工作 2.變壓器待機(jī)時(shí)的鐵損+銅損 解決方案： 1.鐵損：受(工作頻率+感量值)影響，因此設(shè)計(jì)變壓器時(shí)注意工作頻率值+感量值要在適合范圍內(nèi)； 2.銅損：很小，影響不大，設(shè)計(jì)變壓器時(shí)適當(dāng)選擇線徑+匝數(shù)； 3.開(kāi)關(guān)MOS管場(chǎng)效應(yīng)管待機(jī)時(shí)損耗 解決方案： 1.芯片選擇：（降低空載+輕載）的工作頻率+低柵荷MOS管效應(yīng)管 2.（整流管+反向恢復(fù)+導(dǎo)通）的損耗，選導(dǎo)通壓降+反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管

穿通擊穿： 穿通擊穿受多晶柵長(zhǎng)度影響 1.破壞性擊穿并不會(huì)出現(xiàn)， 原因：場(chǎng)強(qiáng)沒(méi)有達(dá)到雪崩擊穿場(chǎng)強(qiáng)，并不會(huì)產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)； 2.在溝道中間發(fā)生； 原因：穿通不容易發(fā)生在溝道表面，溝道注入使表面濃度大形成，NMOS管場(chǎng)效應(yīng)管有防穿通注入； 3.發(fā)生在溝道中間：鳥嘴邊緣濃度?> 溝道中間濃度 4.軟擊穿：擊穿過(guò)程中，電流漸漸變大； 原因：耗盡層擴(kuò)展較寬，同時(shí)發(fā)生DIBL效應(yīng)，源襯底結(jié)正偏出現(xiàn)電流漸漸變大； 5.軟擊穿點(diǎn)：在源漏的耗盡層相接時(shí)，源端載流子注入耗盡層中，被電場(chǎng)加速達(dá)到漏端，電流變大，與雪崩擊穿電流不同，與源襯底PN結(jié)正向?qū)〞r(shí)電流相同。

MOS管場(chǎng)效應(yīng)管在電路設(shè)計(jì)中注意事項(xiàng) 1.接地：要求一切接地，如：線路，測(cè)試儀器，焊接工具等，不然MOS管場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)會(huì)被擊穿，人體也要接地，如采用接地環(huán)； 2.接入電路前，MOS管場(chǎng)效應(yīng)管全部的引線端保持互相短接狀態(tài)； 3.管腳：先焊源極，焊接全部完成后去掉短接材料;(如果條件允許：使用氣熱型電烙鐵比較好) 4.電源未關(guān)斷MOS管場(chǎng)效應(yīng)管：不可從電路中拔出或插人電路； 5.在電路設(shè)計(jì)時(shí)，要注意MOS管場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)，不能超過(guò)參數(shù)的最大值（耗散功率，漏源電壓，柵源電壓，電流等） 6.MOS管場(chǎng)效應(yīng)管保養(yǎng)：不用時(shí)應(yīng)金屬屏蔽包裝，把引出腳短路，防潮，千萬(wàn)不可用塑料包裝； 7.MOS管場(chǎng)效應(yīng)管的偏置極性要遵守，柵源漏間PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓； 8.安裝注意：位置遠(yuǎn)離發(fā)熱元件，管殼體要固定，管腳引線彎曲?>根部尺寸5毫米處，不然彎斷管腳引起漏氣；

如果電源反接，那么電路可能就是損壞，有時(shí)電源接反不可避免，因此我們必須要給電路加入保護(hù)電路。 保護(hù)電路方法： 1.電源正極串聯(lián)一個(gè)二極管； 缺點(diǎn)：因二極管有壓降，電路必有損耗，電池壽命減短。 2.接MOS管； 優(yōu)勢(shì)：壓降?。珊雎圆挥?jì)），MOS管價(jià)格低。

PMOS管是n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管 PMOS管的S極與D極導(dǎo)通（開(kāi)與關(guān)）條件：是G極與S極之間電壓差低于閾值時(shí) 實(shí)際應(yīng)用：控制P-MOS管的開(kāi)，關(guān)，是控制信號(hào)接G極，S極接VCC時(shí)。 S?D極導(dǎo)通后：導(dǎo)通電阻Rds(on)很小，電流流通后：形成壓降很小 PMOS管應(yīng)用 如何控制電源開(kāi)與關(guān) PMOS管開(kāi)與關(guān)控制，實(shí)際是控制Vgs電壓，以達(dá)到控制電源開(kāi)關(guān) 電路圖（模擬測(cè)試）如下： Key閉合前：PMOS輸出電壓?16.441MV Key閉合后：PMOS輸出電壓?5V

什么時(shí)NMOS管 NMOS管全稱：N-Metal-Oxide-Semiconductor NMOS管是N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，把有這種結(jié)構(gòu)晶體管叫作NMOS晶體管。 N-MOS管的D極和S極導(dǎo)通條件：G極與S極之間電壓差超過(guò)閾值的時(shí)候； 在實(shí)際應(yīng)用時(shí)：要控制N-MOS管的開(kāi)，關(guān)，是在控制信號(hào)接G極，S極接GND，D極與S極導(dǎo)通，Rds(on)（導(dǎo)通電阻）很小，在電流流通后，它所形成壓降很小。

與MOS管場(chǎng)效應(yīng)管連接，指示燈常亮，但單片機(jī)無(wú)法正常運(yùn)行，斷開(kāi)與MOS管場(chǎng)效應(yīng)管和電感的連接，?指示燈正常閃爍3次，單片機(jī)正常運(yùn)行，

全橋開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)模塊：用IR2101及TL494設(shè)計(jì)，如下圖20A??IRFP460?MOS管場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)模電路板（可接1KW-1.5KW開(kāi)關(guān)電源）MOS管場(chǎng)效應(yīng)管IR2101：IO輸出0.6A 可驅(qū)動(dòng)20A?功率MOS管?IRFP460